"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Определение параметров глубоких уровней по дифференциальным коэффициентам вольт-амперных характеристик
Булярский С.В.1, Воробьев М.О.1, Грушко Н.С.1, Лакалин А.В.1
1Ульяновский государственный университет
Поступила в редакцию: 4 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Глубокие уровни определялись в GaP светодиодах, используя дифференциальные коэффициенты вольт-амперных характеристик. Параметры, определенные по разным методикам, соответствуют друг другу. Условия измерений таковы, что их можно проводить на пластинах, что делает предлагаемые методы весьма перспективными.
  1. Sah S.T., Noyce R.N., Shochley W. // Proc. IRE. 1957. N 14. P. 1228
  2. Булярский С.В., Грушко Н.С. Физические принципы функциональной диагностики p-n переходов с дефектами. Кишинев: Штиинца, 1992. С. 235
  3. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: МГУ, 1995. С. 399
  4. Булярский С.В., Грушко Н.С., Лакалин А.В. // Заводская лаборатория. 1997. N 7. С. 25--31
  5. Булярский С.В., Грушко Н.С., Лакалин А.В. // Тез. межд. конф. Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Ульяновск, 1997. С. 65--66
  6. Булярский С.В., Грушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин А.В. // ФТП. 1997. Т. 31. С. 1148--1150
  7. Булярский С.В., Радауцан С.И. // ФТП. 1981. Т. 15. С. 1443--1446
  8. Булярский С.В., Стратан И.В., Грушко Н.С. // ФТП. 1987. Т. 21. С. 1730--1732

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.