Определение параметров глубоких уровней по дифференциальным коэффициентам вольт-амперных характеристик
Булярский С.В.1, Воробьев М.О.1, Грушко Н.С.1, Лакалин А.В.1
1Ульяновский государственный университет
Поступила в редакцию: 4 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
Глубокие уровни определялись в GaP светодиодах, используя дифференциальные коэффициенты вольт-амперных характеристик. Параметры, определенные по разным методикам, соответствуют друг другу. Условия измерений таковы, что их можно проводить на пластинах, что делает предлагаемые методы весьма перспективными.
- Sah S.T., Noyce R.N., Shochley W. // Proc. IRE. 1957. N 14. P. 1228
- Булярский С.В., Грушко Н.С. Физические принципы функциональной диагностики p-n переходов с дефектами. Кишинев: Штиинца, 1992. С. 235
- Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: МГУ, 1995. С. 399
- Булярский С.В., Грушко Н.С., Лакалин А.В. // Заводская лаборатория. 1997. N 7. С. 25--31
- Булярский С.В., Грушко Н.С., Лакалин А.В. // Тез. межд. конф. Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Ульяновск, 1997. С. 65--66
- Булярский С.В., Грушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин А.В. // ФТП. 1997. Т. 31. С. 1148--1150
- Булярский С.В., Радауцан С.И. // ФТП. 1981. Т. 15. С. 1443--1446
- Булярский С.В., Стратан И.В., Грушко Н.С. // ФТП. 1987. Т. 21. С. 1730--1732
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук