"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Установка для выращивания слоев GaN на подложках большой площади методом газофазной хлоридно-гидридной эпитаксии
Степанов С.И.1, Цветков Д.В.1, Черенков А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Центр по исследованию роста кристаллов, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 21 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Описан предложенный и созданный прототип промышленной установки для роста эпитаксиальных слоев нитрида галлия (GaN) методом газофазной эпитаксии в хлорид-гидридной системе. Эпитаксия проводилась одновременно на 3 подложках карбида кремния (SiC) диаметром 35 mm. Была исследована зависимость распределения по скоростям роста вдоль газового потока, а также в поперечном сечении реактора. Полученные эпитаксиальные слои были исследованы методом рентгеновской дифракции и фотолюминесценции.
  1. Nakamura S, Senoh M., Mukai T. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 2390
  2. Morkoc H., Strite S., Gao G.B., Lin M.E., Sverdlov B., Burns M. // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. P. 1363
  3. Nakamura S., Senoh M., Isawa N., Nahagama S. // Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1995. V. 34. L797
  4. Nakamura S, Senoh M, Nagahama S., Iwasa N., Yamada T., Matsusshita T., Kiyoku H, Sugimoto Y., Kozaki T., Umemoto H., Sano M., Chocho K. // Proceedings of the Second Internationl Conference on Nitride Semiconductors. ICNS'97. October 27--31, 1997. Tokushima, Japan. P. 444
  5. Schauler M, Kirchner C., Mayer M., Pelzmann A., Ebernard F., Kamp Markus, Unger P., Ebeling K.J. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1997. V. 2. P. 44
  6. Detchprohm T., Hiramatsu K., Amano H., Akasaki I. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61 (22). P. 2688
  7. Lebedev A.O., Melnik Yu.V., Tsaregorodtsev A.M. // Inst. Phys. Conf. Ser. 137. 1994. Chap. 4. P. 405
  8. Melnik Yu, Nikitina I.P., Zubrilov A.S., Sitnikova A.A., Musikhin Yu.G., Dmitriev V.A. // Inst. Phys. Conf. Ser. 142. 1996. Chap. 5. P. 863
  9. Nikolaev A.E., Melnik Yu.V., Kuznetsov N.I., Strelchuk A.M., Kovarsky A.P., Vassilevski K.V., Dmitriev V.I. GaN pn-structures grown by hydride vapor phase epitaxy. Presented at the MRS 97 Fall Meeting
  10. Melnik Yu., Nikolaev A., Stepanov S., Zubrilov A., Nikitina I., Dmitriev V. // Book of Abstracts of the E-MRS Spring Meeting. 1997. L 22
  11. Melnik Yu.V., Nikitina I.P., Nikolaev A.E., Dmitriev V.A. // Diamond and Related Materials. 1997. V. 6. P. 1532--1535
  12. Melnik Yu., Nikolaev A., Stepanov S., Nikitina I., Vassilevski K., Ankudinov A., Musikhin Yu., Dmitriev V. // Silicon Carbide, III-Nitride and Related Materials / Ed. by G. Pensl, H. Morkoc, B. Monemar, E. Janzen (Materials Science Forum Vols. 264--268.) Trans Tech Publications, Switzerland. 1998. P. 1121--1124

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.