"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Об эпитаксии нитрида алюминия на кремниевых подложках в хлоридно-гидридном процессе
Ефимов А.Н.1, Лебедев А.О.1, Царегородцев А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Определены технологические условия, при которых имеет место взаимодействие поверхности кремния с газообразными реагентами, присутствующими в хлоридно-гидридной системе эпитаксиального роста нитрида алюминия. С использованием метода картин каналирования электронов показано, что рост монокристаллических слоев AlN на кремниевых подложках в ХГ-системе затруднен вследствие взаимодействия кремния с NH3 в присутствии HCl при T<=800oC с образованием аморфного слоя Si3N4. Для получения качественной текстуры представляется важным до осаждения слоев AlN выдерживать кремниевые подложки в атмосфере NH3 для формирования плотного слоя Si3N4. Монокристаллический рост AlN может быть достигнут при использовании ХГ-системы химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении, так как температура осаждения в этом случае существенно ниже (вплоть до 550oC) и химическое взаимодействие с подложкой затруднено.
  1. Strite S., Morkoc H. // J. Vac. Sci. Technol. 1992. V. 10. N 4. P. 1237--1266
  2. Callaghan M.P., Patterson E., Richards B.P. et al. // J. Crystal growth. 1974. V. 22. N 1. P. 85--98
  3. Bugge F., Efimov A.N., Pichugin I.G. et al. // Crystal Res. Technol. 1987. V. 22. N 1. P. 65--73
  4. Lebedev A.O., Mel'nik Yu.V., Tsaregorodtsev A.M. // Proc. 1st Intern. Conf. of Epitaxial Crystal Growth. Budapest, 1990. P. 116--118
  5. Norejka A.J., Ing D.W. // J. Appl. Phys. 1968. V. 39. N 2. P. 5578--5581
  6. Греков Ф.Ф., Демидов Д.М., Зыков А.М. // ЖПХ. 1978. Т. 51. В. 7. С. 1450--1453.
  7. Bauer I., Biste L., Bolze D. // Phys. Status Sol. (a). 1977. V. 39. N 1. P. 173--181
  8. Butter E. // Thin Solid Films. 1979. V. 59. N 1. P. 25--31
  9. Практическая растровая электронная микроскопия / Под ред. В.И. Петрова. М.: Мир, 1978. 656 с
  10. Ефимов А.Н., Флоринский В.Ю. // ЖТФ. 1991. Т. 61. В. 8. С. 188--192
  11. Термодинамические свойства индивидуальных веществ / Под ред. В.П. Глушко. Т. 1--4. М.: Наука, 1978
  12. Белый В.И., Васильева Л.П., Грищенко В.А. и др. Нитрид кремния в электронике. Новосибирск: Наука, 1978. 112 с
  13. Скворцов И.М., Лапидус И.И., Орион Б.В. и др. Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия. М.: Энергия, 1978. 136 с
  14. Roman Y.G., Adriaansen A.P.M. // Thin Solid Films. 1989. V. 169. N 2. P. 241--248
  15. Kaya K., Kanno Y., Takahashi H. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1996 (pt 1). V. 35. N 5A. P. 2782--2787.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.