"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Модифицированный метод плазмохимического газофазного осаждения нанокристаллического кремния
Голубев В.Г.1, Медведев А.В.1, Певцов А.Б.1, Феоктистов Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Реализована модификация технологии плазмохимического газофазного осаждения нанокристаллического Si, сочетающая в одном технологическом цикле стандартный метод высокочастотного тлеющего разряда и метод разряда с полым катодом. Объемная доля нанокристаллитов монотонно изменялась вдоль слоя, в то время как их размер оставался постоянным. Исследованы электрические и оптические характеристики полученных пленок.
  1. Takagi H., Ogawa H., Yamazaki Y., Nakagiri T. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N 24. P. 2379--2380
  2. Hui G.Y., O'Connell R.F., He Y.L., Yu M.B. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. N 6. P. 3945--3948
  3. He S.S., Williams M.J., Stephens D.J., Lucovsky G. // J. Non-Cryst. Sol. 1993. V. 164 \& 166. P. 731--734
  4. He Y., Yin C., Cheng G., Wang L., Liu X., Hu G.Y. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 2. P. 797--803
  5. Hollingworth R.E., Bhat P.K., Madan A. // J. Non-Cryst. Sol. 1987. V. 97 \& 98. P. 309--314
  6. Liu X., Tong S., Wang L., Chen G., Bao X. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. N 10. P. 6193--6195
  7. Tong S., Liu X., Wang L., Yan F., Bao X. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. N 5. P. 596--598
  8. Hamasaki T., Kurata H., Hirose M., Osaka Y. // Appl. Phys. Lett. 1980. V. 37. N 12. P. 1084--1086
  9. Horwitz C.M., Boronkay S., Gross M., Davies K. // J. Vac. Sci. Technol. 1988. V. A6. N 3. P. 1837--1842
  10. Голубев В.Г., Давыдов В.Ю., Медведев А.В., Певцов А.Б., Феоктистов Н.А. // ФТТ. 1997. Т. 39. N 8. С. 1348--1353

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.