Вышедшие номера
Влияние случайных примесей и дефектов на низкочастотную диэлектрическую релаксацию в сегнетоэлектрике Cd2Nb2O7
Колпакова Н.Н.1, Виснер М.1, Лебедев А.О.1, Сырников П.П.1, Храмцов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Университет А. Мицкевича, 61-614 Познань, Польша
Поступила в редакцию: 24 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Показано, что случайные примеси и дефекты структуры (типа вакансий по катиону), образующиеся в процессе синтеза в (CdO8)n- подрешетке, повышают релаксаторные свойства системы вблизи Tcurie и подавляют сегнетоэлектрический фазовый переход.