О степени влияния широкозонной части p-n-гетероперехода на его поле пробоя и коэффициенты размножения носителей
Холоднов В.А.1, Курочкин Н.Е.1
1Государственный научный центр Российской Федерации Государственное предприятие НПО "Орион", Москва
Поступила в редакцию: 26 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Показано, что, несмотря на резкое уменьшение коэффициентов ударной ионизации электронов alpha и дырок beta=Kalpha, с ростом ширины запрещенной зоны Eg-полупроводника при анализе лавинного процесса в p-n-гетеропереходе необходимо, как правило, даже при больших различиях в Eg-узкозонного (N) и широкозонного (W) слоев учитывать размножение носителей и в W-части области пространственного заряда (ОПЗ) p-n-гетероперехода.
- Sze S.M., Gibbons G. // Appl. Phys. Lett. 1966. V. 8. N 5. P. 111--113
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Кн. 1. 455 с
- Тагер А.С., Вальд-Перлов В.М. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М.: Сов. радио, 1968. 480 с
- Stillman G.E., Wolf C.M. Semiconductors and Semimetals / Ed R.K. Willardson, A.C. Beer. N.Y.--San-Franc.--L.: Acad. Pr., 1977. V. 12. P. 291--393
- Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. Л.: Энергия, 1980. 152 с
- Техника оптической связи. Фотоприемники / Под ред. У. Тсанга. М.: Мир, 1988. 528 с
- Холоднов В.А. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 15. С. 1349--1355
- Холоднов В.А. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 6. С. 1051--1063
- Холоднов В.А. // Оптический журнал. 1996. N 6. С. 53--55
- Осипов В.В., Холоднов В.А. // ЖТФ. 1989. Т. 59. В. 1. С. 80--91
- Холоднов В.А. // Оптический журнал. 1996. N 6. С. 42--48
- Родо М. Полупроводниковые материалы. М.: Металлургия, 1971. 232 с
- Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 600 с
- Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1981. Т. 2. 366 с
- Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. М.: Мир, 1975. 432 с
- Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979. 232 с
- Осипов В.В., Холоднов В.А. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 11. С. 2078--2081
- Арцис Н.Х., Холоднов В.А. // РиЭ. 1984. Т. 29. N 1. С. 151--159
- Холоднов В.А. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 6. С. 551--556
- Leguerre R., Urgell J. // Solid. St. Electron. 1976. V. 19. N 10. P. 875--881
- Miller S.L. // Phys. Rev. 1955. V. 99. N 4. P. 1234--1241
- Шотов А.П. // ЖТФ. 1958. Т. 28. N 3. С. 437--446
- Bogdanov S.V., Kravchenko A.B., Plotnicov A.F., Shubin V.E. // Phys. St. Sol. (a). 1986. V. 93. N 1. P. 361--368
- Stillman G.E., Cook L.W., Tabatanaie N., Bulman G.E., Robbins V.M. // IEEE Trans. on Electron Devices. 1983. V. ED-30. N 4. P. 364--381
- Baertsch R.D. // J. Appl. Phys. 1967. V. 38. N 11. P. 4267--4274
- Гаврюшко В.В., Косогов О.В., Лебедев В.Д. // ФТП. 1978. Т. 12. В. 12. С. 2351--2354
- Wolf P.A. // Phys. Rev. 1954. V. 95. N 6. P. 1415--1420
- Shockley W. // Solid-State Electron. 1961. V. 2. N 1. P. 35--67
- Baraff G.A. // Phys. Rev. 1962. V. 128. N 6. P. 2507--2517
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.