Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1998, выпуск 15 » Статья стр. 73
<<<>>>
Исследование температурной стабильности пикосекундных арсенидгаллиевых динисторных коммутаторов
Евстигнеев К.В.1, Корольков В.И.1, Рожков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.
PDF версия
Экспериментально продемонстрирована работа GaAs n+-p-i-n0-p+ динисторных структур в режиме обратимого лавинного пробоя при температуре до 200oC с сохранением времени переключения менее 140 ps. Проведенное численное моделирование позволило уточнить влияние различных параметров полупроводника на температурную зависимость характеристик коммутации.
  1. Задиранов Ю.М., Корольков В.И., Пономарев С.И. и др. // ЖТФ. 1987. Т. 57. В. 4. С. 771--777
  2. Алферов Ж.И., Грехов И.В., Eфанов В.М и др. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. В. 18. С. 1089--1093
  3. Корольков В.И., Прохоренко А.С., Рожков А.В. и др. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 10. С. 26--31
  4. Hin-Fai Ch., Dmitris P. // J. Appl. Phys. 1992. V. 72. N 2. P. 531--538
  5. Минарский А.М., Родин П.В. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 4. С. 432--436

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme