Перемежаемость состояний неравновесных носителей в n-GaAs
Горлей П.Н.1, Горлей П.П.1, Томчук П.М.1
1Черновицкий государственный университет Институт физики НАНУ, Киев
Поступила в редакцию: 24 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
С помощью численных методов в условиях существования эффекта Ганна на примере полупроводника с параметрами n-GaAs доказано наличие перемежаемости устойчивых и хаотических состояний нестационарной системы неравновесных носителей, а также изучены изменения количественных характеристик эволюции фазовых переменных (максимального ляпуновского показателя и хаусдорфовской размерности) в зависимости от величины внешнего поля.
- Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Соколовский Г.С. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 7. С. 44--49
- Горлей П.Н., Горлей П.П., Томчук П.М. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 20. С. 82--86
- Piazza F., Christianen P.C.M., Maan J.C. // Acta Phys. Pol. 1995. A88. N 5. P. 865--868
- Zongfu J., Benkun M. // Phys. Rev. 1991. B44. N 20. P. 11072--11074
- Дьяконов М.И., Левинштейн М.Е., Симин Г.С. // ФТП. 1981. Т. 15. N 11. С. 2116--2126
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук