Вышедшие номера
Перемежаемость состояний неравновесных носителей в n-GaAs
Горлей П.Н.1, Горлей П.П.1, Томчук П.М.1
1Черновицкий государственный университет Институт физики НАНУ, Киев
Поступила в редакцию: 24 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

С помощью численных методов в условиях существования эффекта Ганна на примере полупроводника с параметрами n-GaAs доказано наличие перемежаемости устойчивых и хаотических состояний нестационарной системы неравновесных носителей, а также изучены изменения количественных характеристик эволюции фазовых переменных (максимального ляпуновского показателя и хаусдорфовской размерности) в зависимости от величины внешнего поля.