"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Кинетика инкорпорирования As4 в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs (001)
Галицын Ю.Г.1, Мараховка И.И.1, Мощенко С.П.1, Мансуров В.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Предложена кинетическая модель эпитаксиального роста на Ga-стабилизированной поверхности (001) GaAs из пучков As4 и Ga. Рассмотрены элементарные процессы на поверхности: адсорбция-десорбция As4, бимолекулярная реакция As*4, встраивание As2хим в узлы решетки. Модель корректно описывает экспериментальные результаты по скорости роста для низких и высоких давлений As4. Анализируется роль десорбции As4 с поверхности в эпитаксиальном росте кристаллов GaAs.
  1. Tok E.S., Neave J.H., Zhang J., Joyce B.A., Jones T.S. // Surf. Sci. 1997. V. 374. P. 397
  2. Karpov S.Yu., Maiorov M.A. // Surf. Sci. 1995. V. 344. P. 434
  3. Tok E.S., Neave J.H., Zhang J., Allegretti F.E., Joyce B.A., Jones T.S. // Surf. Sci. 1997. V. 371. P. 277
  4. Карпов С.Ю., Майоров М.А. // Письма в ЖТФ. 1997. V. 23. P. 64
  5. Ott A.K., Casey S.M., Alstrin A.L., Leone S.R. // J. Vac. Sci. Technol. 1996. B. 14. P. 2742
  6. Galitsyn Yu.G., Mansurov V.G., Marahovka I.I. // Phys. Low-Dim. Struct. 1997. V. 5/6. P. 75
  7. Galitsyn Yu.G., Mansurov V.G., Marahovka I.I. // Phys. Low-Dim. Struct. 1997. V. 7. P. 55
  8. Garcia J.C., Neri C., Massies J. // J. Cryst. Growth. 1989. V. 98. P. 511
  9. Foxon C.T., Joyce B.A. // Surf. Sci. 1975. V. 50. P. 434
  10. Myers-Beaghton A.K., Vvedensky D.D. // Phys. Rew. (B) 1990. V. 42. P. 5544

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.