Исследование роста пленок YBa2Cu3O7-x на монокристалле Al2O3 с CeO2 буферным подслоем
Афросимов В.В.1, Гольман Е.К.1, Ильин Р.Н.1, Панов М.Н.1, Плоткин Д.А.1, Разумов С.В.1, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1, Тумаркин А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург С.-Петербургский государственный электротехнический университет
Поступила в редакцию: 28 августа 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
Магнетронным распылением получены сверхпроводящие пленки YBa2Cu3O7-x на монокристаллах Al2O3 с CeO2-подслоем. С помощью рассеяния ионов средних энергий и дифракции рентгеновских лучей показана хорошая монокристалличность пленок по всей толщине вплоть до 2.6 mum. Высказано предположение, что углубления, образовавшиеся при росте пленок над зернами "посторонней" фазы, могут служить стоками для дефектов.
- Basu S.N., Roy T., Mitchell T.E., Muenchausen R.E., Nastasi M. // Science and Technology of Thin Film Superconductor 2. N.Y.: Plenum, 1990. P. 341--349
- Norton M.G., Carter C.B., Moeckly B.H. et al. // Science and Technology of Thin Film Superconductor 2. N.Y.: Plenum, 1990. P. 379--387
- Ramesh R., Iham A., Hwang D.M., Sands T.D., Chang C.C., Hart O.L. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 14. P. 1559--1561
- Hollmann E.K., Zaitsev A.G., Loginov V.E. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1992. V. 25. N 3. P. 504--505
- Гольман Е.К., Гольдрин В.И., Плоткин Д.А. и др. // ФТТ. 1997. Т. 39. N 2. C. 216--218
- Афросимов В.В., Дзюба Г.О., Ильин Р.Н. и др. // СФХТ. 1991. Т. 4. N 9. C. 1767--1777
- Афросимов В.В., Дзюба Г.О., Ильин Р.Н. и др. // ЖТФ. 1996. Т. 66. N 12. C. 76--88
- Feldman L.C., Mayer J.W., Picraux S.R. Material Analysis by Ion Channeling. N.Y.: Academic Press, 1982. 300 p
- Ishiwara H., Furukawa S. // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. N 4. P. 1686--1689
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
