Вышедшие номера
Самоорганизация квантовых точек в многослойных структурах InAs/GaAs и InGaAs/GaAs при субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии
Цырлин Г.Э.1, Петров В.Н.1, Масалов С.А.1, Голубок А.О.1, Леденцов Н.Н.1
1Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 17 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Приводятся экспериментальные результаты по исследованию методом сканирующей туннельной микроскопии многослойных структур квантовых точек InGaAs/GaAs, полученных методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии. Приведенные результаты однозначно указывают на то, что в многослойных структурах наблюдается упорядочение нанообъектов в ряды как в случае InAs, так и в случае InGaAs гетероэпитаксиальных слоев.