"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Исследование спонтанного и когерентного излучения в диапазоне длин волн 3/ 4 mum в лазерной структуре на основе InGaAsSb/AlGaSbAs
Гребенщикова Е.А.1, Ершов О.Г.1, Журтанов Б.Е.1, Именков А.Н.1, Колчанова Н.М.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Впервые получено когерентное излучение в спектральном диапазоне 3/ 4mum в двойной гетероструктуре на основе InGaAsSb/AlGaSbAs, выращенной на подложке GaSb. Показано, что спонтанное и когерентное излучение генерируется в основном на межзонных переходах в узкозонном InGaAsSb слое. Установлено, что оптическое ограничение электромагнитной волны достаточно для работы лазера до температуры 120 K при питании меандром.
  1. Баранов А.Н., Данилова Т.Н., Ершов О.Г., Именков А.Н., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 22. С. 6--9
  2. Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Попов А.А., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 7. С. 1244--1250
  3. Данилова Т.Н., Евсеенко О.И., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 6

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.