Установлено, что оптическое поглощение в дырочном и электронном компонентах автолокализованных экситонов в BaF₂, возбуждаемое испульсным электронным пучком, представляет собой совокупность перекрывающихся полос с полушириной не более 0.1 eV. Синхронное довозбуждение вынужденным излучением полупроводников A₂B₆ позволило выделить три группы полос, обусловленные по аналогии с CaF₂ (ФТТ. 1997. Т. 39. N 7), разными конфигурациям автолокализованных экситонов в решетке флюорита. Обнаружен процесс излучательного распада автолокализованных экситонов в CaF₂ и BaF₂ при оптическом возбуждении в области электронного компонента поглощения. Спектрально-кинетические параметры излучения, возникающего при синхронном довозбуждении, совпадают с характеристиками излучения, ранее приписываемого остовно-валентным переходам. Фотостимулированное изменение спектров поглощения автолокализованных экситонов сопровождается селективным изменением спектров люминесценции автолокализованных экситонов, что также свидетельствует об их сложном спектральном составе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.