Вышедшие номера
О возможности понижения температур отжига радиационных дефектов в имплантированном ионами карбиде кремния
Джибути З.В.1, Долидзе Н.Д.1, Нарсия Г.Ш.1, Эристави Г.Л.1
1Тбилисский государственный университет им Ив. Джавахишвили
Поступила в редакцию: 8 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Показана возможность уменьшения температур послеимплантационного отжига радиационных дефектов в карбиде кремния с помощью импульсной фотонной обработки. При правильном выборе спектрального состава и энергии излучения импульсная фотонная обработка является эффективным для отжига радиационных дефектов за счет селективного поглощения квантов на соответствующих уровнях. Предполагается, что механизм отжига является ионизационным (только термическим механизмом невозможно объяснить отжиг в условиях проведения эксперимента).