Наноразмерные слои GaAs, полученные при импульсном охлаждении насыщенного раствора-расплава
Марончук И.Е.1, Марончук А.И.1, Шорохов А.В.1
1Херсонский индустриальный институт, Херсон, Украина
Поступила в редакцию: 19 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.
Предложен новый способ получения наноразмерных слоев, основанный на импульсном охлаждении насыщенного раствора-расплава. Полученные слои исследовались с помощью фотолюминесценции, результаты свидетельствуют о высоком квантовом выходе люминесценции, а следовательно и высоком качестве выращенных слоев.
- Кулюткина Т.Ф., Марончук И.Е., Шорохов А.В. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 20. С. 1--5
- Алферов Ж.И., Андреев В.М., Воднев А.А. и др. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 18. С. 1089--1093
- Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки / Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 240 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук