"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Низкотемпературное радиационно-стимулированное геттерирование примесей и дефектов в кремнии слоями пористого кремния
Куликов А.В.1, Перевощиков В.А.1, Скупов В.Д.1, Шенгуров В.Г.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 18 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Изложены экспериментальные результаты по низкотемпературному геттерированию примесей и дефектов в полупроводниковых пластинах кремния слоями его пористой структуры с последующим облучением их ионами аргона. Показано, что эффект геттерирования обусловлен простейшими подвижными точечными дефектами (вакансиями) и упругими волнами.
  1. Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Борисенко В.Е. // Зарубежн. электрон. техн. 1978. N 15. C. 3--47
  2. Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Шенгуров В.Г. // Электрон. техн. Сер. 7. ТОПО. В. 1(182). С. 10--13
  3. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников. Н. Новгород: изд. ННГУ, 1992. 198 с
  4. Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // Физ. и хим. обработки материалов. 1991. N 6. C. 53--57

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.