Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Низкотемпературное радиационно-стимулированное геттерирование примесей и дефектов в кремнии слоями пористого кремния
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 18 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Изложены экспериментальные результаты по низкотемпературному геттерированию примесей и дефектов в полупроводниковых пластинах кремния слоями его пористой структуры с последующим облучением их ионами аргона. Показано, что эффект геттерирования обусловлен простейшими подвижными точечными дефектами (вакансиями) и упругими волнами.
- Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Борисенко В.Е. // Зарубежн. электрон. техн. 1978. N 15. C. 3--47
- Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Шенгуров В.Г. // Электрон. техн. Сер. 7. ТОПО. В. 1(182). С. 10--13
- Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников. Н. Новгород: изд. ННГУ, 1992. 198 с
- Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // Физ. и хим. обработки материалов. 1991. N 6. C. 53--57
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
