Энергетические переходы в халькопиритных пленках CuIn(Te,Se)2 вблизи фундаментального края поглощения
Киндяк В.В.1, Киндяк А.С.1, Латушко Я.И.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси, Минск
Поступила в редакцию: 10 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Исследована структура краевого поглощения в тонких халькопиритных пленках CuIn(Te,Se)2. Идентифицированы энергетические переходы, обусловленные расщеплением валентной зоны под действием тетрагонального поля кристаллической решетки и спин-орбитального взаимодействия. Установлены их концентрационные зависимости.
- Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики / Под ред. Т. Каутса. М.: Мир, 1988. 307 с
- Diaz R., Leon M., Rueda F. // Jap.J. Appl. Phys. 1992. V. 31. P. 3675--3679
- Neumann H., Perlt B., Horig, Kuh N.G. // Thin Solid Films. 1989. V. 182. P. 115--119
- Hedstrom J., Ohlsen H., Bodegard M. et al. // 23d IEEE Photovol. Spec. Conf. Lousville. 1993. P. 364
- Yamaguchi T., Matsufusa J., Yoshida A. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V.31.L703--L705
- Basol B.M., Kapur V.K., Halani A., Leidholm C. // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1993. V. 29. P. 163--167
- Kindyak V.V., Kindyak A.S., Gremenok V.F. et al. // Thin Solid Films. 1994. V250. P. 33--36
- Киндяк В.В., Киндяк А.С., Гременюк В.Ф. и др. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 7. С. 60--64
- Kindyak A.S., Kindyak V.V., Hill A.E. et al. // Cryst. Res. Technol. 1996. V. 31S. P. 193--196
- Киндяк В.В., Киндяк А.С., Латушко Я.И. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 14. С. 90--94
- Shay J.L., Tell B., Kasper H.M., Shiavone L.M. // Phys. Rev. 1972. V. B5. P. 5003
- Боднарь И.В., Забелина И.А. // Журн. прикл. спектроскоп., 1994. Т. 60. N 3--4. С. 320--323
- Чалдышев В.А., Караваев Г.Ф. // Изв. вузов. Сер. физ. 1963. N 5. C. 103--112
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
