Вышедшие номера
Функциональные свойства гетероструктур кремний/несобственный оксид
Тутов Е.А.1, Рябцев С.В.1, Бормонтов Е.Н.1
1Воронежский государственный университет
Поступила в редакцию: 27 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Показана возможность использования структур металл-оксид-полупроводник Al/SnO2/Si и Al/WO3Si в качестве фотодиодов с большой площадью гетероперехода. Для структуры с пленкой аморфного триоксида вольфрама (a-WO3) перспективные применения связаны с созданием варикапов и фотоварикапов, а также химических сенсоров емкостного типа.