"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев AlxGa1-xAs, выращенных в условиях сверхбыстрого охлаждения раствора-расплава
Абрамов А.В.1, Дерягин А.Г.1, Дерягин Н.Г.1, Кохановский С.И.1, Кучинский В.И.1, Рафаилов Э.У.1, Соколовский Г.С.1, Третьяков Д.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

В работе приведены результаты исследований фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных слоев твердых растворов AlxGa1-xAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии при кристаллизации в неравновесных условиях, для создания которых использовались сверхвысокие скорости охлаждения раствора-расплава (V~ 102-103 oC/c). Полученные фотолюминесцентные характеристики свидетельствуют о высоком качестве эпитаксиальных слоев. Кроме того, обнаружено, что под воздействием на образцы с xбуф=0.5-0.55 лазерного излучения с плотностью мощности ~ 1 кВт/см2 при температуре 77 K в спектральном составе излучения происходят необратимые изменения, связанные с образованием комплекса вакансия мышьяка (VAs) - донорная примесь.
  1. Abramov A.V., Deryagin N.G., Tret'yakov D.N. // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. N 4. P. 607--619
  2. Абрамов А.В., Бер Б.Я., Дерягин Н.Г., Меркулов А.В., Третьяков Д.Н. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. B. 3. С. 35--38
  3. Chang K.H., Lee C.P., Wu J.S., Liu D.G., Wang M.H., Chen L.J., Marais M.A. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. P. 4877--4882
  4. Kuech T.F., Wolford D.J., Potemski R., Bradley J.A., Kelleher K.H., Yan D., Farrell J.Paul, Lesser P.M.S., Pollak F.H. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. P. 505--507
  5. Abramov A.V., Deryagin A.G., Deryagin N.G., Kuchinskii V.I., Sobolev M.N., Papensev M.I. // Materials Science Forum. 1995. V. 196--201. P. 1437--1442

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.