Обогащение свойств структуры металл--окисел--кремний при уменьшении ее размерных параметров до нанометрового диапазона
Карева Г.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный университет
Поступила в редакцию: 8 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.
Предпринята попытка создания на базе традиционной заслуженной структуры металл-окисел-кремний двойного барьера и осуществления резонансного туннелирования электронов. В результате отмечено обогащение свойств структуры, в частности, исследованные вольт-фарадные характеристики приобретают резонансные особенности: ступени и пики в одном диапазоне напряжений наряду с классическим поведением в другом диапазоне приложенных напряжений. Количеством резонансных особенностей можно управлять с помощью напряжения. Наблюдаемый гистерезис вольт-фарадных характеристик свидетельствует о мультистабильности структуры, наличии памяти и о возможности записать и стереть электронные заряды.
- Chang L.L., Esaki L., Tsu R. // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 24. N 12. P. 593--595
- Esaki L. // IEEE. J. Quantum. Electron. 1986. V. QE-22. N 9. P. 1611--1624
- Capasso F., Mohammed K., Cho A.Y. // IEEE J. Quantum. Electron. 1986. V. QE-22. N 9. P. 1853--1868
- Capasso F., Sen S., Beltram F. High-Speed Semiconductor Devices. New York, Wiley, 1990. 455 p
- Goetzberger A. // Bell Syst. Tech.J. 1966. V. 45. N 9. P. 1097--1121
- Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. New York, Wiley, 1981. 455 p
- Карева Г.Г. Патент "Сверхрешетка" РФ N 2062529. Бюллетень N 17. 1996
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
