"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Мезаполосковые лазеры на основе ДГС InAsSbP/InGaAsSb, легированных гадолинием, диапазона 3--3.6 мкм
Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Приведены данные о диодных мезаполосковых лазерах на основе ДГС InbAsSbP/InGaAsSb, впервые из длинноволновых лазеров легированных редкоземельным элементом Gd. Показано, что легирование приводит к улучшению пороговых характеристик. Проведено измерение токовой модуляции лазерного излучения, показывающее возможность использования данных лазеров в спектроскопических измерениях.
  1. Goodman C.H.L. // Solid-State and Electron Devices. 1978. V. 2. N 5. P. 129--137
  2. Матвеев Б.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. // Кристаллография. 1988. Т. 33. В. 1. С. 216--221
  3. Аргунова Т.С., Кютт Р.Н., Матвеев Б.А. и др. // ФТТ. 1994. Т. 36. N 10. C. 3071--3078
  4. Aydaraliev M., Zotova N.V., Karandashov S.A. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8. P. 1575--1580
  5. Baranov A.N., Voronina T.I., Lagunova T.S. et al. // Semiconductors. V. 27. (3). P. 236--240

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.