"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Полевые транзисторы с барьером Шоттки на гетероструктурах InGaAs/InP
Радауцан С.И., Ляху Г.Л., Снигур А.П., Чумак В.А., Лапин В.Г., Маринова A.M., Ноздрина К.Г.
Выставление онлайн: 20 августа 1989 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.