"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Барьеры Шоттки и полевые транзисторы на основе InGaAs/InP
Алфёров Ж.И., Босый В.И., Гореленок А.Т., Иващук А.В., Ильинская Н.Д., Мизеров М.Н., Мокина И.А., Рехвиашвили Д.Н., Шмидт Н.М.
Выставление онлайн: 19 сентября 1988 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.