Вышедшие номера
Прямые и непрямые механизмы оже-рекомбинации в n-InGaN
Зиновчук А.В.1
1Житомирский государственный университет им. И. Франко, Житомир, Украина
Email: zinovchuk.a@zu.edu.ua
Поступила в редакцию: 23 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Представлен численный анализ оже-рекомбинации в нитридных соединениях InxGa1-xN n-типа при T=300 K. Скорость рекомбинации рассчитывалась исходя из зонной структуры и волновых функций, полученных методом эмпирического псевдопотенциала. Непрямой оже-процесс с участием фононов анализировался с помощью как теории возмущений второго порядка, так и метода функций спектральной плотности. Показано, что для соединений, которые излучают в видимой спектральной области, оже-коэффициент изменяется от 3.1· 10-30 до 2.0· 10-32 cm6/s, причем непрямая рекомбинация в этих соединениях играет второстепенную роль.