"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Использование эпитаксиальных слоев для фотоэмиссионных источников электронов
Альперович В.Л.1, Болохвитянов Ю.Б.1, Паулиш А.Г.1, Терехов А.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 1 ноября 1992 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1992 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.