Низкотемпературный отжиг пластин GaAs, имплантированных ионами O+
Дмитрук Н.Л.1, Венгер Е.Ф.1, Гончаренко А.В.1, Пелюсова М.Ю.1
1Институт полупроводников АН Украины
Поступила в редакцию: 20 июля 1992 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1992 г.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
