"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP и GaInAsSb для спектрального диапазона 3-5 мкм
Андреев И.А.1, Баранов А.Н.1, Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Пенцов А.В.1, Сморчкова Ю.П.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 августа 1992 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.