"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Об условиях образования галлий-стабилизированной поверхности GaAs (100) в процессе эпитаксии из молекулярных пучков
Карпов С.Ю.1, Ковальчук Ю.В.1, де ла Круз Г.1, Мячин В.Е.1, Погорельский Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 4 ноября 1991 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1991 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.