"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Возможность осуществления контактной литографии периодических структур с характерными размерами, меньшими длины волны актиничного излучения
Калитеевская Н.А.1, Сейсян Р.П.1, Смирнов Д.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

  1. Moreau W.M. Semiconductor Lithography: Principles, Practices, and Materials. Plenum Press. New York and London, 1988
  2. McGillis D.A., Fehrs D.L. IEEE Transactions on electron devices. ED-22. N 7. July 1975
  3. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: наука, 1973. 720 с
  4. Калитеевский Н.И. Волновая оптика. М., 1995
  5. Березин Г.Н., Никитин А.В., Сурис Р.А. Оптические основы контактной фотолитографии. М.: Радио и связь, 1982
  6. Алферов Ж.И., Гуревич С.А., Казаринов Р.Ф., Мизеров М.Н., Портной Е.Л., Сейсян Р.П., Сурис Р.А. ФТП. 1974. Т. 8. В. 4. С. 832. (Sov. Phys. Semicond. V. 8. N 4. P. 541--542)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.