Омические контакты к твердым растворам (SiC) 1- x(AlN) x
Гусейханов М.К.1, Сафаралиев Г.К.1, Таиров Ю.М.1, Магомедов А.Г.1
1Дагестанский государственный университет
Поступила в редакцию: 11 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
- Нурмагомедов Ш.А., Пихтин А.Н., Разбегаев В.Н. и др. Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 7. С. 1043--1045
- Нисков В.Я. Разработка методик исследования и исследование омических контактов металл-полупроводник. Канд. дис. М.: МИСиС, 1970
- Мадоян С.Г., Гусейханов М.К. Изв. вузов. Физика. 1976. В. 6. С. 80--83
- Nakatsika H., Domeniko A.J., Pearson G.L. Solid State Electroniks. 1971. V. 14. N 9. P. 849--853
- Мадоян С.Г., Гусейханов М.К., Болтовский В.В. Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1975. В. 2. С. 102--104
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук