Исследование профилей имплантированных ионов Ti в монокристаллах Cu при высоких дозах облучения и импульсном отжиге
Дуванов С.М.1, Погребняк А.Д.1, Лаврентьев В.И.1, Стайко В.В.1, Ротштейн В.П.1, Проскуровский Д.И.1
1Сумский институт модификации поверхности Сумы, Украина ОИЯИ, Лаборатория нейтронной физики Дубна, Россия Институт сильноточной электроники РАН Томск, Россия
Поступила в редакцию: 11 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.