"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Пикосекундные InP фотоприемники, полученные методом глубокой имплантации тяжелых ионов
Очиай М.1, Рафаилов Э.У.1, Дерягин А.Г.1, Кучинский В.И.1, Портной Е.Л.1, Мужуд А.1, Соколовский Г.С.1, Темкин Х.1
1Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург Кафедра электротехники Унивеситет Штата Колорадо США
Поступила в редакцию: 21 сентября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

  1. Portnoi E.L., Stel'makh N.M., Chelnokov A.V. Sov. Tech. Phys. Lett. 1989. V. 15 (2). P. 44--48
  2. Motet T., Nees J., Williamson S., Mourou G. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 241. 1992. P. 223--226
  3. Chen Y., Williamson S., Brock T., Smith F.W., Calawa A.R. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 5 (16). P. 1984--1986
  4. Foyt A.G., Leonberger F.J., Williamson R.C. Appl. Phys. Lett. 1982. V. 40 (6).P. 447--449
  5. Hammond R., Paulter N., Wagner R.S., Springer T.E., Mac Roberts M.D.J. IEEE Trans. Electr. Devices. 1982. V. 30. (4). P. 412--415
  6. Alferov Zh.I., Zhuravlev A.V., Portnoi E.L., Stel'makh N.M. Sov. Tech. Phys. Lett. 1986. V. 12 (9). P. 452--453
  7. Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons, 1981
  8. Sharma A.K., Scott K.A.M., Brueck S.R.J., Zopler J.C., Myers D.R. Photon. Tech. Lett. 1994. V. 6 (5). P. 635--636

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.