Вышедшие номера
Пикосекундные InP фотоприемники, полученные методом глубокой имплантации тяжелых ионов
Очиай М.1,2, Рафаилов Э.У.1,2, Дерягин А.Г.1,2, Кучинский В.И.1,2, Портной Е.Л.1,2, Мужуд А.1,2, Соколовский Г.С.1,2, Темкин Х.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет Штата Колорадо, Кафедра электротехники, Колорадо, США
Поступила в редакцию: 21 сентября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

  1. Portnoi E.L., Stel'makh N.M., Chelnokov A.V. Sov. Tech. Phys. Lett. 1989. V. 15 (2). P. 44--48
  2. Motet T., Nees J., Williamson S., Mourou G. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 241. 1992. P. 223--226
  3. Chen Y., Williamson S., Brock T., Smith F.W., Calawa A.R. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 5 (16). P. 1984--1986
  4. Foyt A.G., Leonberger F.J., Williamson R.C. Appl. Phys. Lett. 1982. V. 40 (6).P. 447--449
  5. Hammond R., Paulter N., Wagner R.S., Springer T.E., Mac Roberts M.D.J. IEEE Trans. Electr. Devices. 1982. V. 30. (4). P. 412--415
  6. Alferov Zh.I., Zhuravlev A.V., Portnoi E.L., Stel'makh N.M. Sov. Tech. Phys. Lett. 1986. V. 12 (9). P. 452--453
  7. Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons, 1981
  8. Sharma A.K., Scott K.A.M., Brueck S.R.J., Zopler J.C., Myers D.R. Photon. Tech. Lett. 1994. V. 6 (5). P. 635--636

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.