Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Использование селективных гетероструктур GaAs--InGaAs для создания ИК-фотоприемников
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 10 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.
- Криксунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники. М.: Моск. радио, 1978. 400 с
- Канская Л.М., Кечек А.Г., Криволапчук В.В., Мынбаева М.Г., Полетаев Н.К., Федоров Л.М. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 16. С. 66--69
- Ng W., Narayanan A., Hayes R.R., Persechini D., Yap D. IEEE Photon Technol. Lett. 1993. V. 5. N 5. P. 514--517
- Канская Л.М., Куликов А.Ю. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 5. С. 21--25
- Rogers D.L., Woodall J.M., Pettit G.D., McInturff D. IEEE. Trans. Electron. Devices ED-34. 1987. P. 2383--2387
- Nakajima K., Sugimoto K., Hirohata T., Mizushima Y. Appl. Phys. Lett. V. 61. N 23. P. 2575--2576
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
