"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Использование селективных гетероструктур GaAs--InGaAs для создания ИК-фотоприемников
Жиляев Ю.В.1, Канская Л.М.1, Криволапчук В.В.1, Куликов А.Ю.1, Мынбаева М.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

  1. Криксунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники. М.: Моск. радио, 1978. 400 с
  2. Канская Л.М., Кечек А.Г., Криволапчук В.В., Мынбаева М.Г., Полетаев Н.К., Федоров Л.М. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 16. С. 66--69
  3. Ng W., Narayanan A., Hayes R.R., Persechini D., Yap D. IEEE Photon Technol. Lett. 1993. V. 5. N 5. P. 514--517
  4. Канская Л.М., Куликов А.Ю. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 5. С. 21--25
  5. Rogers D.L., Woodall J.M., Pettit G.D., McInturff D. IEEE. Trans. Electron. Devices ED-34. 1987. P. 2383--2387
  6. Nakajima K., Sugimoto K., Hirohata T., Mizushima Y. Appl. Phys. Lett. V. 61. N 23. P. 2575--2576

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.