"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Быстрая перестройка длины волны 1.8 мкм GaInAsSb лазерных диодов
Именков А.Н.1, Попов А.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

  1. Елисеев П.Г. Введение в физику полупроводниковых лазеров. М.: Наука, 1983
  2. Именков А.Н., Кондратьев Б.С., Попов А.А., Яковлев Ю.П. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 23. С. 13--18
  3. Choi H.K., Eglash S.J., Connors M.K. Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. N 24. P. 3271--3272
  4. Siahatav S., Hochuli U.E. IEEE J. Quant. Electron. 1969. V. QE-5. P. 295--298

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.