Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Быстрая перестройка длины волны 1.8 мкм GaInAsSb лазерных диодов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 28 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.
- Елисеев П.Г. Введение в физику полупроводниковых лазеров. М.: Наука, 1983
- Именков А.Н., Кондратьев Б.С., Попов А.А., Яковлев Ю.П. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 23. С. 13--18
- Choi H.K., Eglash S.J., Connors M.K. Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. N 24. P. 3271--3272
- Siahatav S., Hochuli U.E. IEEE J. Quant. Electron. 1969. V. QE-5. P. 295--298
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
