О механизме модификации поверхности в сканирующем туннельном микроскопе под воздействием импульса напряжения
Владимиров Г.Г.1, Дроздов А.В.1, Баскин Л.М.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Институт физики Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций
Поступила в редакцию: 24 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.
- Shedd Y.M., Russell P.E. Nanotechnology. 1990. N 1. P. 67
- Владимиров Г.Г., Грязев А.Л. Вестник СПбУ. Сер. 4. Физика, химия. Вып. 1. С. 24--40
- Moriarty P., Hughes G. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60 (19). P. 2338--2340
- Ostom R.M., Tanenbaum D.M., Gallagher A. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61 (8). P. 925--927
- Marella P.F., Pease R.F. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55 (22). P. 2366--2367
- Chang C.S., Su W.B., Tsong T.T. Phys. Rev. Lett. 1994. V. 72 (4)
- Глазанов Д.В., Баскин Л.М., Фурсей Г.Н. ЖТФ. 1989. Т. 59. N 5. С. 60--68
- Pascual J.I., Mendez J., Gomer-Herrero J., Baro A.M., Garsia N., Vu Thien Binh Phys. Rev. Lett. 1993. V. 71 (12). P. 1852--1855
- Tsukasa Abe, Kazuhiro Hane, Shigeru Okuma J. Appl. Phys. 1994. V. 75 (2). P. 1228--1230
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук