Вышедшие номера
Узкополосные ИК фотодиоды (1.0--1.2 мкм) на напряженных селективных эпитаксиальных структурах GaAs/InGaAs
Канская Л.М.1, Куликов А.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

  1. InGaAs --- photodiode Components Phys. World. 1993. V. 6. N 6. P. 75
  2. Lester L.F., Hwang K.C. et al. IEEE Photon. Technol. Lett. 1993. V. 5. N 5. P. 511--514
  3. Wada O., Nobuhara H. et al. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. N 1. P. 16--17
  4. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. В кн.: Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия, 1985. С. 21

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.