Ток утечки МОП транзистора и состояние межфазовой границы Si--SiO 2
Атамуратов А.Э.1, Далиев А.Э.1, Зайнабидинов С.З.1, Юсупов А.Ю.1
1Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
Поступила в редакцию: 30 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
- Winokur P.S., Scwank J.R., Mcwhorter P.J., Dressendorfer P.V., Turpin D.C. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1984. V. NS-31. N. 6. P. 1453--1460
- Hughes H.L. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1969. V. NS-16. N 6. P. 195--202
- Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоатомиздат, 1988. 256 с
- Урицкий В.Я., Романов О.В., Яфясов А.М. ФТП. 1984. Т. 18. В. 3. С. 393--397
- Урицкий В.Я. ФТП. 1985. Т. 19. В. 4. С. 744--747
- Иванов В.И. Курск дозиметрии. М.: Энергоатомиздат, 1988. 399 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.