"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Омические контакты к SiC-6H n-типа проводимости на основе тонких пленок карбида кремния, осажденных методом магнетронного распыления
Андреев А.Н., Бабанин А.И., Кузнецов А.Н., Растегаева М.Г., Теруков Е.И., Челноков В.Е., Щеглов М.П.
Поступила в редакцию: 13 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

  1. Anikin M.M., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., I.V. Chuiko. Proceeding in Physics, ed by G.L.Harris, M.G.Spencer, C.Y.Yang. Springer, Berlin, 1992
  2. Anikin M.M., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L. Intern. Conf. on SiC and related materials, Washington. USA. 1993
  3. Dmitriev V.A., Irvine K., Spencer M., Kelner G. Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 3. P. 318--320
  4. Rogachev N.A., Ishkalov J., Kuznetsov A.N., Terukov E.I.,\commes Trapeznikova I., Chelnokov V.E. Intern. Conf. on SiC and related materials, Washington, USA, 1993
  5. Rogachev N.A., Kuznetsov A.N., Terukov E.I., Chelnokov V.E. Intern. Conf. on SiC and related materials, Washington, USA, 1993
  6. Попов И.В., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Письма в ЖТФ. 1985. Т. 12. N 4. С. 240--243
  7. Reeves G.K. Solid--St. Electronics. 1980. V. 23. N 5. P. 487--489
  8. Babanin A.I., Lavrent'ev A.A. NATO Advanced Workshop on Wide Bandgap Electronic Material, Minsk, 1994, WP-2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.