"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование тонких пленок SiO2, полученных методом низкотемпературного плазмохимического осаждения
Тимофеев Ф.Н.1,2, Бозкурт К.1,2, Гюре М.1,2, Айдинли А.1,2, Сюзар Ш.1,2, Эллиолти-оглы Р.1,2, Тюрк-оглы К.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Билкентский университет Анкара, Турция
Поступила в редакцию: 26 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

  • Майсел Л., Глэнг Р. Технология тонких пленок. М., С. 233
  • Pande K.P., Nair V.K.R. J. Appl. Phys. 1984. V. 55. P. 3109--3114
  • Jubert O., Burke R., Vallier L., Martinet C., Devine R.A. Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62(3). P. 228--230
  • Irene E.A. Semicond. Int. June 1985. V. 5. P. 91--93
  • Gonzalez P., Garcia T., Pou J., Fernandez D., Leon B., Perez-Amor M. Appl. Surface Sci. 1992. V. 54. P. 108--111
  • Hess D.H. J.Vac. Sci. Technol., 1984. A2. P. 244
  • Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. Т. 2. М., 1981
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.