GaP полевые транзисторы с затвором Шоттки для высокотемпературных интегральных схем
Жиляев Ю.В.1, Кечек А.Г.1, Лифшиц Ю.А.1, Марахонов В.М.1, Симин Г.С.1, Федоров Л.М.1, Чебунина И.Э.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.