Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1994, выпуск 14 » Статья стр. 8
<<<>>>
GaP полевые транзисторы с затвором Шоттки для высокотемпературных интегральных схем
Жиляев Ю.В.1, Кечек А.Г.1, Лифшиц Ю.А.1, Марахонов В.М.1, Симин Г.С.1, Федоров Л.М.1, Чебунина И.Э.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.
PDF версия
  1. Fricke K., Hartnagel H.L., Schutz R., Schweeger G., Wurfl J. IEEE El. Dev. Let., v.EDL-10, 1989, N 12, p.p. 577--579
  2. Palmour J.W., Carter C.H. Proc. of 1993 ISDRS. Dec. 1--3, Charlottesville, VA, USA, V. 2. P. 695--697
  3. Morkoc H. Proc. of 1993 ISDRS. Dec. 1--3, Omni Charlottesville Hotel, VA, USA, V. 2. P. 709--715
  4. Weichold M.M., Eknoyan O., Kao Y.C. IEEE Trans. on Comp. Hybr. \& Manufact. Techn. V. CHMT-5. 1982. N 4. P. 342--344
  5. Zipperian T.E., Dawson L.R. IEEE Trans. El. Dev. V. ED-29. 1982. N 10. P. 1690
  6. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. Пер. с англ. / Под ред. М.Е.Левинштейна и В.Е.Челнокова. М., 1991. Гл. 7
  7. Jonson R.H., Eknayan O. J. Appl. Phys. V. 58. 1985. N 3. P. 1402--1403
  8. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. / Под.ред. Р.А.Суриса. М., 1984. Т. 1., Гл. 5,6
  9. Kao Y.C., Eknoyan O.E. J. Appl. Phys. V. 54. 1983. N 5. P. 2468--2471

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme