"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Высокотемпературные полевые транзисторы на основе фосфида галлия
Жиляев Ю.В.1, Панютин Е.А.1, Федоров Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

  1. Palkuti L.C., Prince J.L., Glista A.S. IEEE Trans. V. CHMT-2. N 4.P. 405--412
  2. Palmer D.W., Ganyard F.P. IEEE Trans. 1978. V. CHMT-1. N 3. P. 219--222
  3. Palmer D.W., Heckman R.C. IEEE Trans. 1978. V. CHMT-1. N 4. P. 333--340
  4. Alferov J.I., Garbuzov D.Z., Trukan M.K., Zhiljaev Ju.V. J. Kris. \& Techn. 1967. N 4. P. 541--545

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.