Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Мощные одномодовые InGaAs/GaAs лазеры (lambda=0.98 мкм), выращенные методом металлоорганической газофазной эпитаксии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 20 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.
- Yamada M., Shimuzu M., Takeshita T., Okayashi M., Horiguchi M., Ushera S., Suigita S. IEEE Photonics Techn. Lett. December 1989. V. 1. (12)
- Mobarhan K., Razeghi M., Blondeau R. Electronics Lett. 1992. V. 28. (16)
- Belov A.V., Dianov E.M., Gusovskiy D.D., Karpov V.I., Khopin V.F., Kurkov A.S., Shernyakov Y.M., Yavich B.S. Soviet Lightwave Communications. 1993. V. 3. N 3
- Dulkin A.E., Moshkalyov S.A., Pyataev V.Z., Smirnov A.S., Frolov K.S.\commes Microelectronic Enginering. 1992. V. 17. P. 345--348
- Jaeckel H., Bona G.-L., Buchmann P., Meier H.P., Vettiger P., Kozlovsky W.J., Lenth W. IEEE J. Quantum Electron. 1991. V. 27. N 6. P. 1560--1567
- Гарбузов Д.З., Бородицкий М.Л., Ильинская Н.Д., Лившиц Д.А., Марьинский Д.Н., Рафаилов Э.У. ФТП. 1994. В. 2
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
