Определение параметров носителей заряда в узкозонных полупроводниках A 2B 6 p-типа на основе магнитосопротивления
Талипов Н.Х, Ремесник В.Г.
Поступила в редакцию: 25 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.
- Tsidilkouskii I.M., Giriat W., Kharus G.I., Neifeld E.A. Phys. Stat. Sol. (b). 1974. V. 64. N 2. P. 717--727
- Караченцева Л.А., Любченко А.В., Хижняк Б.И. Физическая электроника. 1987. В. 35. С. 122--127
- Ремесник В.Г., Талипов Н.Х. ФТП. 1991. Т. 25. В. 6. С. 1091--1094
- Караченцева Л.А., Любченко А.В. ФТП. 1992. Т. 26. В. 7. С. 1342--1346
- Gold M.C., Nelson D.A. J. Vac. Sci. Technol. 1986. V. A4. N 4. P. 2040--2046
- Fau C., Dame J.F., DeCarualho M., Calas J., Auerous M., Lombos B.A. Phys. Stat. Sol. (b). 1984. V. 125. N 2. P. 831--838
- Dziuba Z. Phys. Stat. Sol. (b). 1987. V. 140. N I. P. 213--223
- Leslie-Pelecky D.L., Seiler D.G., Loloee M.R., Littler C.L. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 23. P. 1916--1918
- Блатт Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах, М. 1971. 470. с
- Демидович Б.П., Марон И.А. Основы вычислительной математики. М. 1966. 664 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук