Учет скачка потенциала на границе диэлектрика в модели туннельного зазора СТМ с диэлектрической пленкой в эмиссионном режиме
Мордвинцев В.М.1, Левин В.Л.1
1Институт микроэлектроники Ярославль
Поступила в редакцию: 7 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.
- Berthe R., Halbritter J. Phys. Rev. 1991. V. B43. P. 6880--6884
- Модинос А. Авто- термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия. М.: Наука, 1990. 319 с
- Мордвинцев В.М., Левин В.Л. ЖТФ. 1994. (в печати)
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, Т. 1. 368 с
- Hill R.M. Phi. Mag. 1971. V. 23. P. 59--86
- Таблицы физических величин / Под ред И.К.Кикоина. М.: Атомиздат, 1976. 1006 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.