"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Перераспределение алюминия в GaAs/AlGaAs квантоворазмерных структурах (КРС) под действием протонного облучения
Козловский В.В.1, Мазуров С.А.1, Бер Б.Я.1, Закгейм А.Л.1, Зушинский Д.А.1, Козловская И.А.1, Кочнев И.В.1, Явич Б.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

  1. Sugimoto M. Jap. J. Appl. Phys. 1989. V. 28. N 6. P. 1013--1018
  2. Bryan R. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. N 2. P. 94--97
  3. Кузьмин И.А., Машевский А.Г., Строганов Д.Р. и др. ФТП. 1989. Т. 23. В. 8. C. 1420--1425
  4. Бер Б.Я., Гольберг А.Э., Копьев П.С. и др. Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. В. 12. С. 751--754
  5. Козловский В.В., Ломасов В.Н. Поверхность. Физика, химия, механика. 1987. N 3. C. 146--148
  6. Kozlovskii V.V., Lomasov V.N., Vlasenko L.S. Radiation Effects. Bristol--London. 1988. V. 106. N 1--2. P. 37--45
  7. Физические процессы в облученных полупроводниках. / Под ред. Л.С.Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с
  8. Атомная диффузия в полупроводниках. / Под ред. Д.Шоу. М.: Мир, 1975. 425 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.