Вышедшие номера
Особенности структуры полупроводник--зазор--полупроводник
Арутюнян В.М.1, Неркарарян Х.В.1
1Ереванский государственный университет
Поступила в редакцию: 27 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

  1. Тсанг У. В кн.: Полупроводниковые инжекционные лазеры. Москва, 1990. С. 213--320
  2. Арутюнян В.М. Микроэлектроника. 1991. Т. 20. В. 4. С. 337--355
  3. Арутюнян В.М. В сб.: Фотоприемники и фотопреобразователи / Под ред. Ж.И.Алферова и Ю.В.Шмарцева. Л. 1986. С. 253--287
  4. Арутюнян В.М. УФН. 1989. Т. 158. В. 2. С. 255--291

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.