Вышедшие номера
Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования
Ратников В.В.1,2, Калмыков А.Е.1,2, Мясоедов А.В.1,2, Кукушкин С.А.1,2, Осипов А.В.1,2, Сорокин Л.М.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ratnikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии исследована динамика изменения структурных характеристик и деформационного состояния эпитаксиальных слоев SiC, AlN, GaN при их последовательном нанесении на подложку Si(111). Слой SiC сформирован методом твердофазной эпитаксии, слои AlN и GaN - с помощью хлорид-гидридной эпитаксии. Газом носителем являлся аргон.