Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования
Ратников В.В.1,2, Калмыков А.Е.1,2, Мясоедов А.В.1,2, Кукушкин С.А.1,2, Осипов А.В.1,2, Сорокин Л.М.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ratnikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.
Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии исследована динамика изменения структурных характеристик и деформационного состояния эпитаксиальных слоев SiC, AlN, GaN при их последовательном нанесении на подложку Si(111). Слой SiC сформирован методом твердофазной эпитаксии, слои AlN и GaN - с помощью хлорид-гидридной эпитаксии. Газом носителем являлся аргон.
- Liliental-Weber Z., Maltez R.L., Xie J., Morkoc H. // Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 3917--3923
- Fritze et al. // Appl. Phys. 2012. V. 111. P. 124 505 (1--6)
- Arnaud Stolz et al. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. P. 021 905 (1--3)
- Verkhovtceva E.V. et al. // 11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging. 2013. Book abstracts. P. 251
- Dadgar A.J. et al. // Cryst. Growth. 2003. V. 248. P. 556--562
- Аксянов И.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 11. С. 54--61
- Komiyama J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 091 901
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 7. С. 1188--1195
- Бессолов В.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 15. С. 60--66
- Сорокин Л.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 7. С. 72--79
- Савкина Н.С. и др. // ЖТФ. 2002. Т. 36. В. 7. С. 812--816
- Stoney G.G. // Proc R. Soc. London. 1909. Ser. A. V. 82. P. 172
- Ratnikov V.V. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. P. A30--A34
- Dunn C.G., Koch E.F. // Acta Metall. 1957. V. 5. P. 548
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.