Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Динамика термовольтаического эффекта в SmS
Каминский В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: vladimir.kaminski@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.
Дано краткое описание термовольтаического эффекта в полупроводниковом редкоземельном соединении - сульфиде самария (SmS). Описан механизм его возникновения. Представлена качественная динамическая модель эффекта, позволяющая объяснить возможность долговременной генерации электрического напряжения на основе термовольтаического эффекта. Модель основана на сочетании тепловых и электронных процессов.
- Казанин М.М., Каминский В.В., Соловьев С.М. // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 5. С. 136--138
- Каминский В.В., Соловьев С.М. // ФТТ. 2001. Т. 43. В. 3. С. 423--426
- Каминский В.В., Голубков А.В., Васильев Л.Н. // ФТТ. 2002. Т. 44. В. 8. С. 1501--1505
- Каминский В.В., Соловьев С.М., Голубков А.В. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 6. С. 29--34
- Егоров В.М., Каминский В.В. // ФТТ. 2009. Т. 51. В. 8. С. 1521--1522
- Стильбанс Л.С. Физика полупроводников. М.: Сов. радио, 1967. 452 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
