Вышедшие номера
Новая альтернатива вторичным ионам CsM+ для послойного анализа многослойных металличеcких структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии
Дроздов М.Н.1, Дроздов Ю.Н.1, Полковников В.Н.1, Стариков С.Д.1, Юнин П.А.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: drm@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 29 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Проведено сопоставление результатов послойного анализа многослойных металлических структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии с использованием различных типов регистрируемых вторичных ионов. Впервые показано, что для повышения разрешения по глубине наряду с известными вторичными ионами CsM+ (M=La, Pd, Mo) могут быть использованы два новых варианта: M+ при распылении ионами цезия и OM- при распылении ионами кислорода. Для многослойных структур Mo/Si использование элементарных вторичных ионов Mo+ и Si+ при распылении ионами Cs и зондировании кластерными ионами Bi+3 обеспечивает наилучшее разрешение по глубине.