"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние насыщения усиления на ватт-амперную характеристику полупроводникового лазера
Соколовский Г.С.1, Дюделев В.В.1, Дерягин А.Г.1, Кучинский В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: gs@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Показано, что при исключении температурных эффектов даже незначительный загиб ватт-амперной характеристики полупроводникового лазера вследствие насыщения усиления свидетельствует о многократном повышении концентрации носителей, необходимой для поддержания генерации, т. е. о значительном повышении "эффективного" порога генерации.
  1. Channin D.J. // J. Appl. Phys. 1979. V. 50 (6). P. 3858--3860
  2. Bowers J.E., Hemenway B.R., Gnauck A.H., Wilt D.P. // IEEE J. Quant. El. 1986. V. 22(6). P. 833--844
  3. Zhao B., Chen T.R., Yariv A. // IEEE J. Quant. El. 1992. V. 28(6). P. 1479--1486
  4. Yariv A. Quantum Electronics / 3-=SUP=-rd-=/SUP=- ed. Willey; New York, 1988. P. 176
  5. Lyutetskii A.V., Borshchev K.S., Pikhtin N.A., Slipchenko S.O., Sokolova Z.N., Tarasov I.S. // Semiconductors. 2008. V. 42. N 1. P. 104--111
  6. Sokolovskii G.S., Deryagin A.G., Kunchinskii V.I. // Tech. Phys. Lett. 1997. V. 23(5). P. 373--376
  7. Sokolovskii G.S., Vinokurov D.A., Deryagin A.G., Dudelev V.V., Kuchinskii V.I., Losev S.N., Lyutetskiy A.V., Pikhtin N.A., Slipchenko S.O., Sokolova Z.N., Tarasov I.S. // Tech. Phys. Lett. 2008. V. 34 (8). P. 708--710
  8. Sokolovskii G.S., Cataluna M.A., Deryagin A.G., Kuchinskii V.I., Novikov I.I., Maximov M.V., Zhukov A.E., Ustinov V.M., Sibbett W., Rafailov E.U. // Tech. Phys. Lett. 2007. V. 33 (1). P. 4--7.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.